存储设备行业深度：“两存”奋起直追，设备乘风而起

广发证券发布的存储设备行业深度报告指出，AI技术迭代推动存储芯片需求爆发，HBM（高带宽内存）成为核心增长点，国内存储厂商（长鑫存储、长江存储）加速追赶，国产设备厂商受益于下游扩产与国产化进程，行业迎来发展机遇，维持行业“买入”评级。

行业核心驱动力源于AI对存储的高要求。Transformer架构的自注意力机制，使得AI模型对内存容量与带宽需求呈指数级增长，形成“内存墙”难题。HBM作为专为AI设计的高速存储方案，有效破解这一痛点，市场规模有望从2024年的174亿美元增至2030年的980亿美元，年复合增长率达33%。同时，DRAM整体市场规模约970亿美元，数据中心、汽车等领域需求持续增长，带动DDR4、DDR5等产品价格大幅上涨，2025年涨幅达350%-1065%。

全球存储市场格局呈现“韩美领跑，国产追赶”态势。DRAM市场由三星、SK海力士、美光主导，合计占据超90%份额，长鑫存储市占率约5%；NAND市场中，三星、SK海力士合计占比超60%，长江存储市占率达9%。对比中国市场占比（DRAM 26%、NAND 33%），国内厂商产能扩张空间广阔，长鑫存储、长江存储分别有5倍、3-4倍的增长潜力。技术层面，国产厂商虽在制程、位密度等核心指标上与国际龙头存在差距，但通过Xtacking等自研技术，差距正逐步缩小。

存储工艺持续迭代，推动设备需求升级。DRAM向3D架构演进，特征尺寸逐步缩小至7nm，电容高宽比提升至80以上；3D NAND堆叠层数从数百层向2000层突破，依赖混合键合等先进技术；HBM通过硅通孔（TSV）与3D堆叠工艺，实现高带宽与低延迟，其制造涉及19个增量材料工程步骤，带动相关设备需求。

国产设备厂商全面布局，受益于国产化浪潮。国内设备企业形成三类梯队：北方华创、中微公司等龙头全面覆盖前道设备；微导纳米、迈为股份等跨界企业在ALD、CVD设备领域实现突破；长川科技、华峰测控等后道测试设备厂商已进入主流集成电路企业供应链。微导纳米ALD设备实现产业化应用，长川科技测试机获得长电科技等企业认可，精智达DRAM老化测试设备出货量稳步提升，国产设备在多个细分领域实现进口替代。

聚焦四条主线：一是测试设备龙头长川科技，产品获多家头部厂商认可；二是精智达，DRAM测试修复设备与探针卡业务增长显著；三是华峰测控，模拟芯片测试优势突出，推出SoC测试新平台；四是关注微导纳米、迈为股份等在薄膜沉积、刻蚀设备领域的突破，以及北方华创、中微公司等全产业链布局企业。

行业仍面临潜在风险，包括行业资本开支不及预期、半导体技术推进缓慢、设备国产化进程受阻等。总体来看，AI驱动存储需求爆发，国内存储厂商扩产与技术追赶同步推进，国产设备厂商凭借技术突破与国产化红利，有望实现市场份额持续提升，行业成长空间广阔。

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